TA1
铸锋
01
99.8
4.51
状态: | |
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新型的溅镀设备几乎都使用强力磁铁将电子成螺旋状运动以加速靶材周围的氩气离子化, 造成靶与氩气离子间的撞击机率增加,提高溅镀速率。一般金属镀膜大都采用直流溅镀,而不导电的陶磁材料则使用RF交流溅镀,基本的原理是在真空中利用辉光放电(glowdischarge)将氩气(Ar)离子撞击靶材(target)表面,电浆中的阳离子会加速冲向作为被溅镀材的负电极表面,这个冲击将使靶材的物质飞出而沉积在基板上形成薄膜。
钛靶详细参数:
牌 号:TA1、TA2、TA3、TC4/GR1、GR2、GR3、GR5
钛圆靶:技术条件符合GB/T2695、ASTMB348
钛板靶:技术条件符合GB/T3621、ASTM B265
【圆靶】Φ100×40,Φ95×45Φ80×40,Φ90×40,Φ85×35及其它特定尺寸。
【管靶】Φ70×7×L900--2000mm,Φ89.4X7.62XL1728mm,Φ89.4X15XL1728mm,Φ80X10XL1728mm,及其它特定尺寸。
【板靶】T6-40×W60--800×L600--2000mm及其它特定尺寸。
用 途:用于半导体分离器件、平面显示器、储存器电极薄膜、溅射镀膜、工件表面涂层,玻璃镀膜工业等。
新型的溅镀设备几乎都使用强力磁铁将电子成螺旋状运动以加速靶材周围的氩气离子化, 造成靶与氩气离子间的撞击机率增加,提高溅镀速率。一般金属镀膜大都采用直流溅镀,而不导电的陶磁材料则使用RF交流溅镀,基本的原理是在真空中利用辉光放电(glowdischarge)将氩气(Ar)离子撞击靶材(target)表面,电浆中的阳离子会加速冲向作为被溅镀材的负电极表面,这个冲击将使靶材的物质飞出而沉积在基板上形成薄膜。
钛靶详细参数:
牌 号:TA1、TA2、TA3、TC4/GR1、GR2、GR3、GR5
钛圆靶:技术条件符合GB/T2695、ASTMB348
钛板靶:技术条件符合GB/T3621、ASTM B265
【圆靶】Φ100×40,Φ95×45Φ80×40,Φ90×40,Φ85×35及其它特定尺寸。
【管靶】Φ70×7×L900--2000mm,Φ89.4X7.62XL1728mm,Φ89.4X15XL1728mm,Φ80X10XL1728mm,及其它特定尺寸。
【板靶】T6-40×W60--800×L600--2000mm及其它特定尺寸。
用 途:用于半导体分离器件、平面显示器、储存器电极薄膜、溅射镀膜、工件表面涂层,玻璃镀膜工业等。